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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (11): 3361-3364.

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Cl掺杂对氧化亚铜薄膜载流子浓度及寿命的影响

文思逸;邹苑庄;胡飞;文圆   

  1. 景德镇陶瓷学院材料学院,景德镇,333403
  • 出版日期:2015-11-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    江西省青年科学家(井冈之星)培养对象计划(20112BCB23022);江西省科技厅对外合作项目(20133BDH80018)

Effect of Cl-Doping on the Carrier Concentration and Lifetime of Cu2O Thin Film

WEN Si-yi;ZOU Yuan-zhuang;HU Fei;WEN Yuan   

  • Online:2015-11-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系的中电化学沉积法制备Cl∶ Cu2O薄膜,通过光电流(l-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试、光电压衰减测试(V-t),研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响.结果表明当pH值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜.随着CuCl2的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度先上升后下降.莫特-肖特基曲线测试的载流子浓度与光电流密度的趋势一致,当CuCl2为40 mmol/L时达到最高值,光电流密度为0.11 mA/cm2(较纯氧化亚铜提高了247.6;),载流子浓度为3.58×1019 cm-3(较纯氧化亚铜的载流子浓度提高了2457;).将光电压衰减测试结果进行拟合后发现在40 mmol/L CuCl2溶液中得到的薄膜,其载流子的半衰期提高到了8.92s,说明较纯氧化亚铜薄膜的光稳定性大大提高了.

关键词: 电化学掺杂;Cu2O薄膜;载流子浓度;光稳定性;载流子寿命

中图分类号: