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人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3493-3497.

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高性能Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si阻变器件的研究

闫帅帅;王华;许积文;杨玲;陈齐松   

  1. 桂林电子科技大学材料科学与工程学院,桂林,541004
  • 出版日期:2015-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51262003)

Study on the High Performance Resistive Switching Behavior of Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si

YAN Shuai-shuai;WANG Hua;XU Ji-wen;YANG Ling;CHEN Qi-song   

  • Online:2015-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用溶胶-凝胶工艺在p型单晶硅衬底上制备了La0.7Mg0.3MnO3薄膜,对薄膜的微观结构及Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si器件的电致阻变性能进行了研究.结果表明:La0.7Mg0.3MnO3薄膜在经过700℃退火2h后为单一的钙钛矿结构,沿(112)晶向择优生长,薄膜致密平整;Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si阻变器件具有典型的双极型阻变特性,具有非常高的电阻开关比,其高阻态(HRS)与低阻态(LRS)的比值高于105,以及较佳的耐疲劳性能,器件在1000次循环后高、低阻态比值没有明显变化;器件在高阻态(HRS)时的导电机制为Schotty势垒发射效应,低阻态(LRS)导电机制为导电细丝机制.

关键词: 阻变;La0.7Mg0.3MnO3;溶胶-凝胶;异质结

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