生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响

人工晶体学报 ›› 2015, Vol. 44 ›› Issue (12): 3799-3803.

生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响

张恒;曲爽;王成新;胡小波;徐现刚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南250100

发布日期:2021-01-20
基金资助:
Natural Science Foundation of China under Grant(11134006);Shandong University Natural Science Special(2014QY005);863 Program(2015AA033302)

Effects of Growth Conditions on Surface Morphology of Barrier Layer and Mobility of the Two-dimensional Electron Gas of AlGaN/GaN HEMT

ZHANG Heng;QU Shuang;WANG Cheng-xin;HU Xiao-bo;XU Xian-gang

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGN/GaN高电子迁移率晶体管.研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响.原子力显微镜(AFM)光谱和SEM-EDS用于表征外延层的质量.结果表明随着反应室压力从50torr提高到200torr,AlGaN势垒层的表面形貌先变好,随后开始变差.在反应室压力100torr情况下得到最好的表面形貌.同时发现在生长AlGaN势垒层时,同时适当的氢气会提高AlGaN层的质量.在反应室压力100torr、氢气组分59;时得到AlGaNHEMT的最大二维电子气迁移率为1545 cm2/V·s.

中图分类号:

张恒;曲爽;王成新;胡小波;徐现刚. 生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(12): 3799-3803.

ZHANG Heng;QU Shuang;WANG Cheng-xin;HU Xiao-bo;XU Xian-gang. Effects of Growth Conditions on Surface Morphology of Barrier Layer and Mobility of the Two-dimensional Electron Gas of AlGaN/GaN HEMT[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2015, 44(12): 3799-3803.

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