低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响

人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (4): 880-885.

低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响

廖建华;尚林;贾伟;余春燕;李天保;许并社

太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室,太原030024;太原理工大学新材料工程技术研究中心,太原030024

出版日期:2016-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61475110,61404089,21471111);山西省自然科学基金(2014021019-1,2014011016-6);山西省科技创新重点团队(2012041011)

Effect of Nucleation Rate of Low Temperature GaN Nucleation Layer on the Crystal Quality of GaN Epitaxial Thin Films

LIAO Jian-hua;SHANG Lin;JIA Wei;YU Chun-yan;LI Tian-bao;XU Bing-she

Online:2016-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用金属有机化学气相沉积方法系统研究了在蓝宝石衬底上低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响机理.利用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜、光致发光光谱和Hall测试仪表征材料的位错密度、表面形貌以及光、电学性能.研究结果表明随着形核速率的增加,GaN形核层更倾向于三维生长模式;当形核速率达到1.92(A)/s时退火后生成尺寸为100 nm宽、32 nm高的均匀形核岛,随后生长的未掺杂GaN外延薄膜层的螺型和刃型位错密度以及黄带峰强度达到最小值,并且其具有最高的载流子迁移率和最低的载流子浓度.

中图分类号:

O484

廖建华;尚林;贾伟;余春燕;李天保;许并社. 低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(4): 880-885.

LIAO Jian-hua;SHANG Lin;JIA Wei;YU Chun-yan;LI Tian-bao;XU Bing-she. Effect of Nucleation Rate of Low Temperature GaN Nucleation Layer on the Crystal Quality of GaN Epitaxial Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2016, 45(4): 880-885.

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