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人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (4): 935-940.

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利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化

姚尧;肖少庆;刘晶晶;顾晓峰   

  1. 江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡214122
  • 出版日期:2016-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(61404061);江苏省自然科学青年基金(BK20140168)

Simulation Optimizing of P-type HIT Solar Cells with AFORS-HET

YAO Yao;XIAO Shao-qing;LIU Jing-jing;GU Xiao-feng   

  • Online:2016-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶ H(n)/a-Si∶ H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律.结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020 cm-3,晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×1016 cm3,以ZnO为TCO层且ZnO的功函数低于4.4 eV时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18;.

关键词: 异质结太阳电池;透明导电氧化物薄膜;AFORS-HET;功函数

中图分类号: