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人工晶体学报 ›› 2016, Vol. 45 ›› Issue (11): 2728-2734.

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N型半导体金刚石的研究现状与展望

李尚升;许安涛;王生艳;刘书强;于昆鹏;王健康;韩飞   

  1. 河南理工大学材料科学与工程学院,焦作,454000;焦作师范高等专科学校数学学院,焦作,454000;焦作市激光研究所,焦作,454002
  • 出版日期:2016-11-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    河南理工大学创新型科研团队支持计划(T2013-4);河南理工大学材料工程专业学位研究生专业实践示范基地(2016YJD03);河南省教育厅重点资助(12A430010);焦作市应用基础研究项目(212)

Research Status and Prospect of N Type Semiconductor Diamond

LI Shang-sheng;XU An-tao;WANG Sheng-yan;LIU Shu-qiang;YU Kun-peng;WANG Jian-kang;HAN Fei   

  • Online:2016-11-15 Published:2021-01-20

摘要: 作为半导体材料的金刚石具有宽的禁带宽度和高的热导率、介质击穿场强等优异性质,因此其应用前景广阔.P型金刚石发展较N型金刚石成熟.因为缺乏可实用的N型金刚石材料,这使得金刚石半导体器件的应用难以实现.因此N型半导体金刚石成为研究者关注的焦点.论文从掺杂元素和制备方法两方面详细介绍了国内外N型金刚石的研究现状.硼与磷或硫元素共掺杂获得N型金刚石的研究取得了较大进展;利用化学气相沉积法和离子注入法制备N型半导体金刚石研究较多且取得了一定进展.高压高温下的温度梯度法便于掺杂调控金刚石性能,因而利用该法合成N型半导体金刚石大单晶值得尝试.

关键词: 金刚石;N型半导体;掺杂

中图分类号: