人工晶体学报 ›› 2017, Vol. 46 ›› Issue (11): 2147-2153.
张颖;王景芹;康慧玲
出版日期:
2017-11-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
ZHANG Ying;WANG Jing-qin;KANG Hui-ling
Online:
2017-11-15
Published:
2021-01-20
摘要: AgSnO2触头材料中的SnO2近乎绝缘,为了提高触头材料的电性能提出了稀土材料La、Ce、Y和In共掺杂的方法.采用基于密度泛函的第一性原理对SnO2以及单掺杂稀土元素的SnO2和共掺稀土元素和In的SnO2晶胞进行能带和态密度的计算.结果表明:掺杂后的材料仍旧是直接带隙半导体材料,都具有热稳定性,共掺杂可以进一步使得导带底、价带顶向费米能级附近移动,进而窄化带隙;共掺杂比单掺的电子有效质量小,电导率大,其中Y和In共掺杂的导电性最好.共掺杂比单掺稀土元素更能提高AgSnO2触头材料的导电性,为触头材料的发展提供了理论依据.
中图分类号:
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