c-BN对于SPS烧结Si3N4/BN复相陶瓷结构和性能的影响

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (6): 1116-1122.

c-BN对于SPS烧结Si3N4/BN复相陶瓷结构和性能的影响

胡健;张帆;王为民;傅正义;张金咏;陈文杰

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;湖北航天技术研究院总体设计所,武汉,430034

出版日期:2019-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51672197,51521001,51502220)

Effects of c-BN on Microstructure and Properties of Si3N4/BN Sintered by SPS

HU Jian;ZHANG Fan;WANG Wei-min;FU Zheng-yi;ZHANG Jin-yong;CHEN Wen-jie

Online:2019-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本研究通过引入立方氮化硼(c-BN),采用放电等离子烧结(SPS)制备Si3N4/BN复合材料,研究了c-BN在高温下的相变对Si3N4/BN复合材料烧结、结构和力学性能的影响.结果表明:在高温下c-BN发生物相转变原位生成的h-BN能够均匀分散在Si3N4基体中,对于Si3N4/BN复合材料的烧结有明显的促进作用,同时对于Si3N4物相转变和晶粒生长的抑制作用小于直接引入到基体中的h-BN.对材料力学性能的分析显示:相较于直接引入h-BN,添加c-BN的复合材料硬度有轻微地下降,而抗弯强度和断裂韧性同时有了明显地提升.

中图分类号:

TQ174

胡健;张帆;王为民;傅正义;张金咏;陈文杰. c-BN对于SPS烧结Si3N4/BN复相陶瓷结构和性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(6): 1116-1122.

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