P替代对ZrV2O7介电与电导性能的影响

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (10): 1938-1944.

P替代对ZrV2O7介电与电导性能的影响

石业平;袁保合;梁二军

郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州450052;华北水利水电大学,郑州,450011

出版日期:2019-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11874328,11574276)

Effect of P Substitution on Dielectric and Conductive Properties of ZrV2O7

SHI Ye-ping;YUAN Bao-he;LIANG Er-jun

Online:2019-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用固相烧结法制备ZrV2-xPxO7系列材料,研究了P替代对ZrV2O7介电和电导性能的影响.研究发现,ZrV2-xPxO7系列材料的高频介电常数随着P含量的增加而降低;材料的离子弛豫极化和晶界极化速率随P含量的增加先变大后变小,其介电弛豫时间随P含量的增加先增大再减小,其中ZrV1.6P0.4O7具有最大的介电弛豫时间,为5.63 ×1O-4s.由于P和V离子半径和电负性的差异,P的加入会导致晶格畸变和散射几率变化.室温下,ZrV2-xPxO7系列材料的电导率对P的含量非常敏感,ZrV1.6P0.4O7具有最大电导率,为5.83 ×10-5 S·cm-1.对ZrV1.6P0.4O7进行变温特性测试发现,其活化能为0.19 eV.对ZrV2-xPxO7系列材料的电导率和介电的研究对拓展此类材料在电子器件方面的应用具有重要意义.

中图分类号:

O469

石业平;袁保合;梁二军. P替代对ZrV2O7介电与电导性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(10): 1938-1944.

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