Ga沉积量对形成AlGaAs表面纳米结构的影响

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (11): 2018-2024.

Ga沉积量对形成AlGaAs表面纳米结构的影响

黄延彬;丁召;马明明;王一;罗子江;李志宏;郭祥

贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025;半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳550025;贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025;半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳550025;贵州财经大学信息学院,贵阳550025

出版日期:2019-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61564002,11664005);贵州省科技计划项目(黔科合基础[2017] 1055);贵州大学引进人才科研项目(贵大人基合字[2015]23号);开放基金项目(KFJJ-201603)

Effect of Ga Deposition Amount on the Formation of Nanostructures of AlGaAs Surface

HUANG Yan-bin;DING Zhao;MA Ming-ming;WANG Yi;LUO Zi-jiang;LI Zhi-hong;GUO Xiang

Online:2019-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用液滴外延技术在Al0.4Ga0.6As表面制备了纳米结构并用原子力显微镜进行表征,发现纳米结构的密度随金属Ga沉积量的增加呈先增加后减小再增加的趋势.这种密度异常变化的现象,主要是由于液滴之间相互扩散并最终形成连续的平坦层,随着沉积量的继续增加,新吸附的Ga原子在平坦层上面形成新的Ga液滴,从而导致了密度的降低.此外,纳米结构的孔深、孔径、环高和盘径几何特征尺寸随着沉积量的增加而增加,且在表面[1-10]和[110]两个方向上纳米结构中的量子环以及盘状结构的形貌特征呈现各向异性.

中图分类号:

O472

黄延彬;丁召;马明明;王一;罗子江;李志宏;郭祥. Ga沉积量对形成AlGaAs表面纳米结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(11): 2018-2024.

HUANG Yan-bin;DING Zhao;MA Ming-ming;WANG Yi;LUO Zi-jiang;LI Zhi-hong;GUO Xiang. Effect of Ga Deposition Amount on the Formation of Nanostructures of AlGaAs Surface[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2019, 48(11): 2018-2024.

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