化学气相沉积法制备氧化镓纳米线

人工晶体学报 ›› 2019, Vol. 48 ›› Issue (12): 2174-2178.

化学气相沉积法制备氧化镓纳米线

王汐璆;庄文昌;张凯惠;付博;贾志泰;罗新泽

徐州工程学院化学化工学院,徐州 221111;伊犁师范大学化学与环境科学学院,伊宁 835000;徐州工程学院化学化工学院,徐州,221111;太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;伊犁师范大学化学与环境科学学院,伊宁,835000

出版日期:2019-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(21703194);国家重点研发计划(2018YFB0406502);徐州市推动科技创新专项资金项目(KC17080)

Preparation of Ga2O3 Nanowires by Chemical Vapor Deposition

WANG Xi-qiu;ZHUANG Wen-chang;ZHANG Kai-hui;FU Bo;JIA Zhi-tai;LUO Xin-ze

Online:2019-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： β-Ga2O3纳米线是一种新型具有强发光特性的宽带隙半导体材料,作为探测器性能稳定巨可靠,近年来受到了极大的关注.本文主要采用化学气相沉积法(CVD),以Ag纳米颗粒为催化剂,在Si(100)衬底上生长了β-Ga2O3纳米线,经EDS、SEM、TEM等技术表征,证明其大部分遵循VLS生长机理,少许遵循VS机制.其中遵循 VLS 生长机制的β-Ga2O3纳米线更细更长,其形貌均匀一致,长度约为230～260 μm,直径约为150～180 nm,巨Ag颗粒皆在纳米线顶部.

中图分类号:

TN304

王汐璆;庄文昌;张凯惠;付博;贾志泰;罗新泽. 化学气相沉积法制备氧化镓纳米线[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2174-2178.

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