人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (1): 144-151.
黄奕博;王美涵;文哲;马佳玉;张钧;侯朝霞
出版日期:
2020-01-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
HUANG Yibo;WANG Meihan;WEN Zhe;MA Jiayu;ZHANG Jun;HOU Zhaoxia
Online:
2020-01-15
Published:
2021-01-20
摘要: WO3/TiO2复合薄膜具有许多特性,是一种优良的光电功能薄膜材料.利用先进的制膜技术获得性能优异的纳米结构WO3/TiO2复合薄膜,对提高光电器件的性能及应用具有重要意义.本文着重介绍了溶胶-凝胶法、水热法、电沉积法和磁控溅射法制备纳米结构WO3/TiO2复合薄膜.总结了纳米结构WO3/TiO2复合薄膜在电致变色智能窗、光催化技术、湿度传感器上的应用.最后,针对纳米结构WO3/TiO2复合薄膜现状提出了未来发展趋势.
中图分类号:
黄奕博;王美涵;文哲;马佳玉;张钧;侯朝霞. 纳米结构WO3/TiO2复合薄膜的制备及应用进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(1): 144-151.
HUANG Yibo;WANG Meihan;WEN Zhe;MA Jiayu;ZHANG Jun;HOU Zhaoxia. Progress on Preparation and Application of Nanostructured WO3/TiO2 Composite Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(1): 144-151.
[1] | 杨学林, 沈波. Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 723-731. |
[2] | 梁潇, 李思琦, 王中伟, 邵鹏飞, 陈松林, 陶涛, 谢自力, 刘斌, 陈敦军, 郑有炓, 张荣, 王科. 分子束外延高Al组分AlGaN薄膜及Si掺杂研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 783-790. |
[3] | 殷鑫燕, 陈鹏, 梁子彤, 赵红. MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 791-797. |
[4] | 武成, 朱昭捷, 李坚富, 涂朝阳, 吕佩文, 王燕. 反应磁控溅射制备h-BN薄膜及其日盲紫外探测器[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 798-804. |
[5] | 王高凯, 张兴旺. 六方氮化硼外延生长研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 825-841. |
[6] | 耿方娟, 杨磊, 朱嘉琦. 退火方式及温度对层层碘化法CuI薄膜结构、形貌和光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 842-848. |
[7] | 曹晟, 张锋, 刘绍祥, 陈思凯, 赵杨, 石轩, 赵洪泉. Er掺杂WS2的制备及光电特性研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 849-856. |
[8] | 刘欢, 邵鹏飞, 陈松林, 周辉, 李思琦, 陶涛, 谢自力, 刘斌, 陈敦军, 郑有炓, 张荣, 王科. 金属调制分子束外延生长氮化铝薄膜[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 878-885. |
[9] | 韩钰, 牛群, 周琴, 赵爱迪. 单层α-MoO3半导体薄膜的范德瓦耳斯外延制备[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 886-893. |
[10] | 徐建喜, 王钰宁, 徐俞, 王建峰, 徐科. 石墨烯上异质远程外延GaN的研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 894-900. |
[11] | 张鑫, 沈俊, 湛立, 崔恒清, 葛炳辉, 武传强. 枝晶WS2/单层WS2薄膜的CVD可控制备与表征[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 909-917. |
[12] | 韩跃斌, 蒲勇, 施建新, 闫鸿磊. 高速旋转垂直热壁CVD外延生长n型4H-SiC膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 918-924. |
[13] | 杨松, 何颖子, 王建卫, 张敏, 王旭. 锌掺杂对铁酸铋薄膜结构及多铁性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(4): 621-628. |
[14] | 任怡静, 马新国, 张锋, 陆晶晶, 张力, 王晗. BaTiO3薄膜的制备及其在电光调制器的应用[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(4): 688-700. |
[15] | 戚佳斌, 谢欣瑜, 李忠贤. 柔性无机铁电薄膜的制备及其在存储器领域应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(3): 380-393. |
阅读次数 | ||||||
全文 |
|
|||||
摘要 |
|
|||||