Eu3+掺杂对Ba2Mg(BO3)2∶Eu3+荧光粉基质晶格及发光性质的影响

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (3): 452-456.

Eu3+掺杂对Ba2Mg(BO3)2∶Eu3+荧光粉基质晶格及发光性质的影响

熊晓波;李江春

湖北警官学院,法庭科学湖北省重点实验室,武汉430034

出版日期:2020-03-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
法庭科学湖北省重点实验室开放课题(2018KFKT05);纳米矿物材料及应用教育部工程中心开放课题(NGM2019KF011);湖北省教育厅科学研究计划指导性项目(B2019207);湖北警官学院科研计划项目自选课题(2019007)

Effect of Eu3+ Doping on Host Lattice and Luminescent Properties of Ba2Mg(BO3)2∶Eu3+ Phosphor

XIONG Xiaobo;LI Jiangchun

Online:2020-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 系统研究了Ba2Mg(BO3)2∶Eu3荧光粉的高温固相法制备工艺条件,发现在900 ℃C下保温3h制得的样品的发光性能最好.研究了Eu3掺杂浓度对基质晶格环境和发光性质的影响,当Eu3+浓度较低时,荧光粉在594 nm的发射峰强度最大,随着Eu3掺杂浓度的增加,Eu3+偏离对称中心的程度越来越大,当Eu3浓度超过3at;时,荧光粉在613 nm的发射峰强度开始急剧增强,浓度达到3.5at;时,613 nm的发射开始占主导,这是由于晶体结构的扭曲程度导致晶格对称性发生了较大的改变,释放了更多禁戒的5 D0 →7F2电偶极跃迁.制备的橙色荧光粉可以被近紫外InGaN芯片有效激发,应用于白光LED.

中图分类号:

O482.31

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