基于掺杂压电薄膜的FBAR制备及研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (6): 1040-1043.

基于掺杂压电薄膜的FBAR制备及研究

兰伟豪;徐阳;张永川;蒋平英;司美菊;刘娅;卢丹丹;何西良

中国电子科技集团公司第二十六研究所,重庆,400060

出版日期:2020-06-15 发布日期:2021-01-20

Fabrication and Research of FBAR Based on Doped Piezoelectric Film

LAN Weihao;XU Yang;ZHANG Yongchuan;JIANG Pingying;SI Meiju;LIU Ya;LU Dandan;HE Xiliang

Online:2020-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 薄膜体声波谐振器(FBAR)具有体积小、工作频段高、性能强等优势,在滤波器领域有广泛的应用前景,其最核心的功能层为压电薄膜.本文采用磁控溅射方法,在6英寸硅片上制备了AlScN压电薄膜.对AlScN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlScN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为1.75°,膜厚均匀性优于0.6;,薄膜应力为10.63 MPa,薄膜应力可调.制作了基于AlScN压电薄膜的FBAR谐振器,其机电耦合系数为7.53;.在AlN中掺杂Sc能够有效提高压电薄膜的机电耦合系数,对研究FBAR滤波器的宽带化有重要意义.

中图分类号:

TN65

兰伟豪;徐阳;张永川;蒋平英;司美菊;刘娅;卢丹丹;何西良. 基于掺杂压电薄膜的FBAR制备及研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1040-1043.

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