人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (6): 1088-1093.
高忙忙;祁雪燕;高昂;赵旭;李瑞;苏圣尧;张方圆;郑玉鑫
出版日期:
2020-06-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
GAO Mangmang;QI Xueyan;GAO Ang;ZHAO Xu;LI Rui;SU Shengyao;ZHANG Fangyuan;ZHENG Yuxin
Online:
2020-06-15
Published:
2021-01-20
摘要: 合金法提纯是制备太阳能级多晶硅的工艺之一,在Al-Si合金提纯多晶硅工艺中,冷却速率对初晶硅的形貌和纯度都有重要的影响.本文对成分为Al-30wt;Si合金采用不同冷却速率进行处理,分析初晶硅的形貌以及杂质含量的变化.结果表明,随冷却速率的降低,初晶硅的长度和宽度逐渐增加,初晶硅收率逐渐增加,并且在较低冷却速率下,初晶硅晶粒的<111>择优生长更加明显.同时,冷却速率对初晶硅中的杂质含量产生了显著影响,在较低冷却速率下,杂质的去除率较高,并且有利于Ti和B杂质的去除.为了获得较高的收率和较好的杂质去除率,Al-30wt;Si合金杂凝固过程中的冷却速率应低于3℃/min.
中图分类号:
高忙忙;祁雪燕;高昂;赵旭;李瑞;苏圣尧;张方圆;郑玉鑫. 冷却速率对Al-30wt;Si合金初晶硅形貌和杂质的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1088-1093.
GAO Mangmang;QI Xueyan;GAO Ang;ZHAO Xu;LI Rui;SU Shengyao;ZHANG Fangyuan;ZHENG Yuxin. Effect of Cooling Rate on the Microstructure and Impurity of Primary Silicon in Al-30 wt;Si Alloy[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(6): 1088-1093.
[1] | 胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210. |
[2] | 石爱红;李源;艾文森. 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1787-1793. |
[3] | 韩博;李进;安百俊. 石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1904-1910. |
[4] | 王健;程红娟;高彦昭. 长波红外用准相位匹配材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1397-1404. |
[5] | 倪友保;韩卫民;吴海信;毛明生;黄昌保;王振友;姜鹏飞. 大尺寸长波红外非线性晶体CdSe生长及应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1488-1489. |
[6] | 袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493. |
[7] | 张国栋;程奎;张龙振;陶绪堂. 中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1494-1498. |
[8] | 陈莹;袁泽锐;方攀;谢婧;张羽;尹文龙;康彬. 新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1505-1508. |
[9] | 李宝珠;高彦昭;王健;程红娟;陈毅;姚宝权. 高质量CdSe单晶生长及其OPO性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1517-1522. |
[10] | 姚晶晶;任国强;李腾坤;苏旭军;邱永鑫;许磊;高晓冬;徐科. 氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1157-1161. |
[11] | 茅艳琳;左然. 行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1168-1175. |
[12] | 李一村;郝晓斌;代兵;舒国阳;赵继文;张森;刘雪冬;王伟华;刘康;曹文鑫;杨磊;朱嘉琦;韩杰才. MPCVD单晶金刚石高速率和高品质生长研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 979-989. |
[13] | 齐红基;邵建达;吴福林;王斌;陈端阳. KDP类晶体快速生长技术研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1004-1009. |
[14] | 方攀;袁泽锐;陈莹;尹文龙;康彬. 中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 771-773. |
[15] | 刘兵;蒲红斌;赵然;赵子强;鲍慧强;李龙远;李晋;刘素娟. 高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 570-575. |
阅读次数 | ||||||
全文 |
|
|||||
摘要 |
|
|||||