人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (8): 1534-1540.
何诺天;唐慧丽;刘波;张浩;朱智超;赵衡煜;徐军
出版日期:
2020-08-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
HE Nuotian;TANG Huili;LIU Bo;ZHANG Hao;ZHU Zhichao;ZHAO Hengyu;XU Jun
Online:
2020-08-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响.透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶ β-Ga2O3晶体光学带隙增大.在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶ β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快.
中图分类号:
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