P掺ZnO及缺陷对其光电性质影响的研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (9): 1660-1666.

P掺ZnO及缺陷对其光电性质影响的研究

刘进;杨平

江苏大学机械工程学院,微纳光电子器件及系统先进制造与可靠性国际实验室,镇江 212000

出版日期:2020-09-15 发布日期:2021-01-20

Effect of P Doped ZnO and Defects on Photoelectric Properties

LIU Jin;YANG Ping

Online:2020-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用Adam算法优化后的BP神经网络训练预测P掺杂ZnO后的各体系的缺陷形成能,分析得出最易形成的体系是ZnO:PZn和ZnO:PZn(2VZn)体系,反之是ZnO:PO和ZnO:PZn(1VZn)体系,之后在第一性原理的基础上研究各体系光电特性,分析可知ZnO:PZn体系呈n型导电,带隙0.78 eV,大于本征体系.ZnO:PZn(2VZn)体系呈p型导电,带隙和本征体系相似,电导率与ZnO:PZn体系相近且都远高于ZnO:PZn(1VZn)体系,反射率、吸收率和光透率都优于本征ZnO体系.

中图分类号:

O474

刘进;杨平. P掺ZnO及缺陷对其光电性质影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1660-1666.

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Effect of P Doped ZnO and Defects on Photoelectric Properties

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