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人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2013-2023.

所属专题: 宽禁带半导体晶体与器件

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氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展

蒋府龙;许非凡;刘召军;刘斌;郑有炓   

  1. 南方科技大学电子与电气工程系,深圳 518055%南京大学电子科学与工程学院,南京 210093
  • 出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    (深圳市科技计划)%(高水平大学建设经费)

Development of GaN-Based Micro-LED Display Technology

JIANG Fulong;XU Feifan;LIU Zhaojun;LIU Bin;ZHENG Youdou   

  • Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要: 现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展,显示是实现信息交换和智能化的关键环节.在目前众多显示技术中,Micro-LED显示技术被认为是具有颠覆性的次世代显示技术,得到学术界与产业界的广泛关注.Micro-LED显示技术是一种新自发光显示技术,具有对比度高、响应快、色域宽、功耗低及寿命长等优点,可以满足高级显示应用的个性化需求.然而目前在Micro-LED显示商业化进程中,依然存在一些技术瓶颈尚未解决.应用于Micro-LED晶圆的外延技术需考虑衬底选择、波长均匀性及缺陷控制等方面因素;Micro-LED器件的效率衰减问题目前依然没有有效的解决途径;此外利用颜色转换媒介实现单片Micro-LED全彩显示技术尚未成熟.本文从以上3个问题点出发,分别综述了Micro-LED显示目前存在的技术问题及研究现状.

关键词: 氮化镓;Micro-LED显示;外延;Micro-LED器件;效率衰减;Micro-LED全彩显示

中图分类号: