[1] |
赵鑫, 谢华, 方声浩, 庄巍, 叶宁. 减少ZnGeP2晶体1~2.5 μm光学吸收的研究[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(1): 20-24. |
[2] |
赵昕睿, 李龙娇, 龚长帅, 王楚祺, 马藤, 王雪娇. (La0.95Eu0.05)F3纳米晶的自牺牲模板法合成及其下转换发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(1): 53-59. |
[3] |
李伟, 施玉书, 李琪, 黄鹭, 李适, 高思田. 单晶硅晶格间距的测量技术进展及应用[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(1): 151-157. |
[4] |
段欢, 崔瑞瑞, 邓朝勇. Ba2YAlO5∶Eu3+, Na+荧光粉的合成和光致发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2302-2307. |
[5] |
张汉宏, 叶帅, 张帆. 钙钛矿单晶的合成研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2389-2397. |
[6] |
李方直;胡磊;田爱琴;江灵荣;张立群;李德尧;池田昌夫;刘建平;杨辉. GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1996-2012. |
[7] |
吴峰;戴江南;陈长清. AlGaN基深紫外发光二极管研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2079-2097. |
[8] |
刘梦婷;韩杰才;王先杰;宋波. 氮化铝纳米结构的生长与物性研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2098-2121. |
[9] |
柏松;李士颜;费晨曦;刘强;金晓行;郝凤斌;黄润华;杨勇. 新一代SiC功率MOSFET器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2122-2127. |
[10] |
白旭东, 胡皓阳, 蒋俊, 李荣斌, 申慧, 徐家跃, 金敏. SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2153-2160. |
[11] |
李一村;舒国阳;刘刚;郝晓斌;赵继文;张森;刘康;曹文鑫;代兵;杨磊;朱嘉琦;曹康丽;韩杰才. MPCVD单晶金刚石初始及断续生长界面的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1765-1769. |
[12] |
刘成龙;许卫锴;吕树辰;祁武超. 一种弯曲主导型热膨胀点阵超材料的带隙特性研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1782-1786. |
[13] |
郭翔鹰;孙向洋;朱雨男. 二维正方晶格钨-硅橡胶声子晶体的带隙特性研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1583-1589. |
[14] |
王运锋;崔少博;乔建良;宋金璠. Mn4+掺杂氟化物红光材料的研究与展望[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1735-1742. |
[15] |
薛艳艳;徐晓东;苏良碧;徐军. 中红外波段激光晶体的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 2-1360. |