摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了石墨烯中嵌入不同构型硅纳米线的电子特性.分析了不同构型的硅纳米线嵌入石墨烯后结构的稳定性、能带结构、态密度和差分电荷密度.研究发现:(1)直线型-I硅纳米线嵌入结构存在带隙,并且带隙的大小受到硅含量的调节.(2)扶手椅型硅纳米线嵌入结构和直线型-II硅纳米线嵌入结构由半导体变为导体.
中图分类号:
张园园;吕燕伍. 石墨烯中嵌入硅纳米线的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(1): 77-85.
ZHANG Yuan-yuan;LYU Yan-wu. First-principles Study on Silicon Nanowires Embedded in Graphene[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2018, 47(1): 77-85.
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