NiO为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (3): 556-563.

NiO为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能

郭起玲;李景灵;何新华;徐雪青

华南理工大学材料科学与工程学院,广州510641;中国科学院广州能源研究所中国科学院可再生能源重点实验室,广州510640;中国科学院广州能源研究所中国科学院可再生能源重点实验室,广州,510640;华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510641

出版日期:2018-03-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
广州市协同创新重大专项(201704030069)

Properties of Quantum Dot Light Emitting Diode Using NiO as Hole Transport Layer

GUO Qi-ling;LI Jing-ling;HE Xin-hua;XU Xue-qing

Online:2018-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶液法制备NiO纳米晶,利用XRD、TEM、UPS表征样品并将其应用于结构为ITO/NiO/PVK/ QDs/ZnO/Ag的量子点发光二极管(QLED)中.XPS测试表明紫外臭氧处理可诱导NiO晶格内部产生Ni3+离子,通过引入多次旋涂和多次紫外臭氧处理相结合的工艺,获得Ni3离子含量增多且分布均匀的NiO薄膜.研究结果显示:随着旋涂NiO次数的增加,器件性能呈现出逐渐改善趋势,当旋涂4次时,器件获得最佳效果,其中最佳发光强度从184cd/m2提高到4775 cd/m2,最大电流效率为0.54 cd/A,最大外量子效率为0.22;,与未改善的单层NiO基QLED相比,均提高超过50倍.

中图分类号:

郭起玲;李景灵;何新华;徐雪青. NiO为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(3): 556-563.

GUO Qi-ling;LI Jing-ling;HE Xin-hua;XU Xue-qing. Properties of Quantum Dot Light Emitting Diode Using NiO as Hole Transport Layer[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2018, 47(3): 556-563.

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