人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (3): 623-628.
杨潇薇;刘波;李科;王静
出版日期:
2018-03-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
YANG Xiao-wei;LIU Bo;LI Ke;WANG Jing
Online:
2018-03-15
Published:
2021-01-20
摘要: 以硝酸钴(Co(NO3)2·6H2O)和硫脲(NH2CSNH2)为原料,在不同的反应物浓度下水热合成了不同形貌的CoS2材料,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱技术(xPS)对产物进行了表征,最后将石墨烯添加到制备的CoS2中作为正极材料制备成单体热电池进行恒流和脉冲放电测试.SEM、XRD测试结果表明,随着反应体系中反应物(Co(NO3)2·6H2O)量从0.02 mol/L增加到0.08 mol/L,产物CoS2材料纳米棒尺寸逐渐缩短,球形颗粒尺寸趋于均匀,团聚现象更加明显;材料晶相结构没有发生改变,都为立方晶系的CoS2;XPS测试结果表明合成的材料元素价态分别为Co2+和S-1.当恒流放电电流密度较大增加到0.8 A/cm2时,CoS2/石墨烯阴极材料有更好的电性能;脉冲放电测试结果表明,CoS2材料制备的单体电池内阻明显小于FeS2材料,在放电初期的平稳阶段,内阻约小0.5Ω.
中图分类号:
杨潇薇;刘波;李科;王静. 热电池用CoS2正极材料水热合成及其性能研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(3): 623-628.
YANG Xiao-wei;LIU Bo;LI Ke;WANG Jing. Hydrothermal Synthesis and Properties of CoS2 Cathode Materials for Thermal Batteries[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2018, 47(3): 623-628.
[1] | 胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210. |
[2] | 石爱红;李源;艾文森. 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1787-1793. |
[3] | 韩博;李进;安百俊. 石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1904-1910. |
[4] | 王健;程红娟;高彦昭. 长波红外用准相位匹配材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1397-1404. |
[5] | 倪友保;韩卫民;吴海信;毛明生;黄昌保;王振友;姜鹏飞. 大尺寸长波红外非线性晶体CdSe生长及应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1488-1489. |
[6] | 袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493. |
[7] | 张国栋;程奎;张龙振;陶绪堂. 中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1494-1498. |
[8] | 陈莹;袁泽锐;方攀;谢婧;张羽;尹文龙;康彬. 新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1505-1508. |
[9] | 李宝珠;高彦昭;王健;程红娟;陈毅;姚宝权. 高质量CdSe单晶生长及其OPO性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1517-1522. |
[10] | 姚晶晶;任国强;李腾坤;苏旭军;邱永鑫;许磊;高晓冬;徐科. 氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1157-1161. |
[11] | 茅艳琳;左然. 行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1168-1175. |
[12] | 李一村;郝晓斌;代兵;舒国阳;赵继文;张森;刘雪冬;王伟华;刘康;曹文鑫;杨磊;朱嘉琦;韩杰才. MPCVD单晶金刚石高速率和高品质生长研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 979-989. |
[13] | 齐红基;邵建达;吴福林;王斌;陈端阳. KDP类晶体快速生长技术研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1004-1009. |
[14] | 高忙忙;祁雪燕;高昂;赵旭;李瑞;苏圣尧;张方圆;郑玉鑫. 冷却速率对Al-30wt;Si合金初晶硅形貌和杂质的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1088-1093. |
[15] | 方攀;袁泽锐;陈莹;尹文龙;康彬. 中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 771-773. |
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