SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (8): 1705-1710.

SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究

李强;杨贝贝;左安友;杨永明

湖北民族学院新材料与机电工程学院,恩施,445000

出版日期:2018-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
湖北省自然科学基金(2014CFB619,2014CFB342);湖北民族学院博士科研启动基金(MY2012B006);湖北民族学院院内青年科研基金(MY2017Q006)

Spin-dependent Seebeck Effect of the SiN-SiC Nano Thin Film

LI Qiang;YANG Bei-bei;ZUO An-you;YANG Yong-ming

Online:2018-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用.本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件.发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化取向的电流,即为自旋相关塞贝克效应.而且,在热电荷流中还存在着热负微分电阻效应.这些发现为设计基于SiN-SiC纳米薄膜的高效率热自旋电子学器件提供了理论指导.

中图分类号:

O472

李强;杨贝贝;左安友;杨永明. SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(8): 1705-1710.

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