添加不同硼源时金刚石的高温高压合成

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (9): 1752-1756.

添加不同硼源时金刚石的高温高压合成

李勇;廖江河;谭德斌;宋谋胜;罗开武;肖政国

铜仁学院物理与电子工程系,铜仁,554300;湖南科技大学物理与电子科学学院,湘潭,411201

出版日期:2018-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11604246);贵州省教育厅创新群体重大研究项目(KY字[2017]053);吉林大学超硬材料国家重点实验室开放课题(201610);贵州省科技厅基金项目([2018]1163)

Synthesis of Diamond Doping with Different Boron Sources under High Pressure and High Temperature

LI Yong;LIAO Jiang-he;TAN De-bin;SONG Mou-sheng;LUO Kai-wu;XIAO Zheng-guo

Online:2018-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在压力6.5 GPa、温度1290～1350℃实验条件下,研究了合成体系中分别添加单质硼、六角氮化硼(h-BN)时金刚石的合成.由于合成体系中添加剂的存在,导致所合成的金刚石颜色发生了明显的改变.傅里叶显微红外光谱(FTIR)测试表明,当合成体系中h-BN添加量较少时,所合成金刚石中含有替代式的氮杂质,且金刚石中有sp2杂化的硼-氮、硼-氮-硼结构存在.当合成体系中h-BN添加量达到2 wt;时,金刚石中的氮仅以硼-氮-硼的结构存在.此外,霍尔效应测试结果表明,硼掺杂金刚石具有p型半导体特性,而合成体系中添加h-BN所制备的金刚石表现为绝缘体.

中图分类号:

O781

李勇;廖江河;谭德斌;宋谋胜;罗开武;肖政国. 添加不同硼源时金刚石的高温高压合成[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(9): 1752-1756.

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