气体流量对Si与光刻胶选择比的影响

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (10): 2196-2199.

气体流量对Si与光刻胶选择比的影响

张文琼;高志廷

厦门大学嘉庚学院,漳州,363105;北京未来芯片高精尖创新中心,北京,100084

出版日期:2018-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
福建省教育厅中青年项目(AT160650);福建省漳州市自然科学基金(ZZ2018J27)

Effect of Flow on Selectivity of Si and Photoresist

ZHANG Wen-qiong;GAO Zhi-ting

Online:2018-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子ICP刻蚀机,对<110>向单晶硅进行真空刻蚀.结果表明:随着时间的增大,刻蚀深度(纵向距离)在增大,刻蚀速率为200 nm/min;侧蚀距离(横向距离)随着时间的推移而增大,在60 min时候,单壁侧蚀距离为1.5μm,侧蚀速率在50 nm/min;Si的刻蚀速率随着SF6的气体流量的增加而增大,当流量达到80 sccm,刻蚀速率为268 nm/min;光刻胶刻蚀速率却随着气体流量的增加而降低,在70 sccm时候,光刻胶刻蚀速率为32 nm/min;光刻胶的刻蚀速率与Si的刻蚀速率在一定场合下呈现反比例关系.

中图分类号:

TQ170.6

张文琼;高志廷. 气体流量对Si与光刻胶选择比的影响[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(10): 2196-2199.

ZHANG Wen-qiong;GAO Zhi-ting. Effect of Flow on Selectivity of Si and Photoresist[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(10): 2196-2199.