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刘志杰. 氟原子参与的低压金刚石薄膜淀积条件[J]. 人工晶体学报, 1998, 27(3): 201-.
| [1] | 肖文君, 刘天运, 刘雪飞. 基于第一性原理的二维g-AlN材料p型掺杂研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2261-2267. |
| [2] | 王一, 丁召, 魏节敏, 杨晨, 罗子江, 王继红, 郭祥. In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2268-2273. |
| [3] | 夏冬林, 郭锦华. CuInS2量子点敏化ZnO基光阳极的制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2274-2281. |
| [4] | 刘雪飞, 罗子江, 吕兵. 二维CdO的低晶格热导率研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2292-2296. |
| [5] | 石博元, 张芩宇, 姜宏, 文峰, 马艳平. 高硼硅玻璃薄膜的磁控溅射沉积及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2371-2375. |
| [6] | 沈波;杨学林;许福军. 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1953-1969. |
| [7] | 王珣;汪莱;郝智彪;罗毅;孙长征;韩彦军;熊兵;王健;李洪涛. GaN基三维结构生长与器件应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1984-1995. |
| [8] | 贲建伟;孙晓娟;蒋科;陈洋;石芝铭;臧行;张山丽;黎大兵;吕威. AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2046-2067. |
| [9] | 李金钗;高娜;林伟;蔡端俊;黄凯;李书平;康俊勇. AlGaN量子结构及其紫外光源应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2068-2078. |
| [10] | 王瑞;孙宜华;黄龙;敖来远;方亮;骆秋子. Ti含量对溶胶-凝胶法制备Ti、Ga共掺ZnO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1800-1806. |
| [11] | 李耳士;黄延彬;郭祥;王一;罗子江;李志宏;蒋冲;丁召. Al液滴在GaAs表面的熟化行为研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1819-1824. |
| [12] | 翟永清;姜龙太;邓德芮;汪威澳;陈湘匀;吴晗. Eu3+,Tb3+共掺杂的NaGd(WO4)2颜色可调荧光粉的水热合成及发光性质研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1825-1830. |
| [13] | 王心洋;曹光宇;黄翀. 微波等离子体化学气相沉积设备微波系统的仿真优化与验证[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1896-1903. |
| [14] | 杨焕银;郭红力;孙红娟;彭同江. 不同表面层铁电薄膜的相变理论研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1604-1608. |
| [15] | 唐庆;陈尧;颜晓东;左芬;程菊. 高热稳定性的SrAl2Si2O8:Eu2+荧光粉的制备与发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1625-1630. |
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