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人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (2): 109-116.

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晶体生长过程的分子动力学模拟研究

陈柳;程兆年;唐鼎元   

  1. 中国科学院上海冶金研究所,上海200050;中国科学院福建物质结构研究所,福州350002
  • 出版日期:1999-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目

A Molecular Dynamics Study of Crystal Growth

Chen Liu;Cheng Zhaonian;Tang Dingyuan   

  • Online:1999-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文采用晶液两层构型方法,分子动力学模拟研究了RbCl和β-BaB2O4(BBO)两种晶体的生长过程.模拟RbCl的晶体生长,可以清晰地观察到结晶时固液界面的运动过程,表明对于简单离子晶体,Fumi-Tosi势和由宏观压缩模量得到的势参数很好的反映了离子间相互作用.BBO的晶体生长模拟使用与RbCl模拟相同的方法,随着经验性的简单约束条件的增加,熔体中(B3O6)环增多.当使用(B3O6)环束缚约束时,实现了BBO晶体模拟生长.模拟结果表明,BBO结晶可能仅在熔体中存在一定量(B3O6)环基元时才能发生.

关键词: 分子动力学模拟;晶体生长;RbCl晶体;BaB2O4晶体

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