氟化铅晶体中300nm光吸收带的起因

人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (3): 253-257.

氟化铅晶体中300nm光吸收带的起因

任国浩;沈定中;王绍华;刘光煜;殷之文

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

出版日期:1999-03-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目(59732040)

Origin of the 300nm Absorption Band in PbF2 Crystals

Ren Guohao;Shen Dingzhong;Wang Shaohua;Liu Guangyu;Yin Zhiwen

Online:1999-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在PbF2晶体的透射光谱中常存在一个300nm光吸收带,其特征是吸收强度从结晶开始端向结晶结束端递减.利用原子吸收光谱分析(AAS),发现具有300nm光吸收带的晶体含有比较多的杂质离子Ca和Ba,但根据掺杂实验及其它氟化物晶体中存在的类似吸收现象,排除了Ca和Ba是造成这一吸收现象的原因,而是认为Ce3+离子杂质的4f→5d跃迁是造成该吸收带的原因.氟化铅晶体中的微量Ce3+离子杂质来源于生产HF时所使用的天然矿物CaF2.通过对HF这一制备PbF2原料的高度提纯可以有效地消除晶体中的300nm吸收带.

中图分类号:

O785.6

任国浩;沈定中;王绍华;刘光煜;殷之文. 氟化铅晶体中300nm光吸收带的起因[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(3): 253-257.

Ren Guohao;Shen Dingzhong;Wang Shaohua;Liu Guangyu;Yin Zhiwen. Origin of the 300nm Absorption Band in PbF2 Crystals[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1999, 28(3): 253-257.