Nb∶KTiOPO4晶体的生长和倍频性能

人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (3): 298-302.

Nb∶KTiOPO4晶体的生长和倍频性能

张德颖;沈鸿元;刘文;张国芳;陈文志;张戈;曾瑞荣;黄呈辉;林文雄

福州大学电子科学和应用物理系,福州,350002;中国科学院福建物质结构研究所,福州,350002

出版日期:1999-03-15 发布日期:2021-01-20

Crystal Growth and Second Harmonic Generation Properties of Nb∶KTP Crystal

Zhang Deying;Shen Hongyan;Liu Wen;Zhang Guofang;Chen Wenzhi;Zhang Ge;Zeng Ruirong;Huang Chenghui;Lin Wenxion

Online:1999-03-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过研究晶体生长工艺参数对Nb∶KTiOPO4(Nb∶KTP)晶体生长的影响,用熔盐顶部籽晶法获得尺寸为55mm×25mm×5mm的Nb∶KTP透明单晶.研究中发现熔体的温度梯度、籽晶和降温速率将严重影响Nb∶KTP晶体的生长.Nb离子的引入不利于Nb∶KTP晶体的生长,尤其是造成晶体易开裂,且沿a轴方向生长速度非常缓慢.同时,Nb的引入大大改变Nb∶KTP晶体的倍频性能.掺杂Nb浓度的摩尔分数为13;时,Nb∶KTP晶体的倍频的Ⅱ型相位匹配的截止波长缩短至937nm,且有效产生469nm倍频蓝光;掺杂Nb浓度的摩尔分数为3;时,Nb∶KTP晶体对Nd∶YAG的1.0642μm激光倍频的最佳相位匹配角为θ=88.32°,()=0°,非常接近90°非临界相位匹配方向.

中图分类号:

O782.4

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