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人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (4): 314-322.

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掺质KTP型晶体生长与性能研究

张克从;龚亚京;王希敏   

  1. 北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022
  • 出版日期:1999-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目

Study on Growth and Properties of Doped KTP Type Crystals

Zhang Kecong;Gong Yajing;Wang Ximin   

  • Online:1999-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用高温溶液法生长了含掺质离子Zr4+,Ga3+的单掺和双掺系列KTP型晶体.晶体生长过程中发现Ga掺入溶液后,体系更加稳定,容易生长出光学质量的晶体;而Zr掺入溶液后体系稳定性降低,晶体生长较困难.用等离子体发射光谱测定了各掺质离子在晶体中的含量,计算出掺质离子的分配系数,发现生长体系中Ga无论是在高掺入量还是低掺入量的情况下,Ga在晶体中的含量都十分稳定.测定了晶体的晶胞参数、紫外-可见-红外吸收光谱,测定的结果发现,晶胞参数均变化不大,在吸收光谱中Ga:KTP在可见光谱区有少量的光吸收,而Zr:KTP晶体是无色透明的.通过粉末倍频实验发现,Zr的掺入有助于晶体倍频转换效率的提高.通过晶体c轴向离子电导率的测试发现,Ga的掺入使c轴向电导率降低了大约3个数量级.双掺Zr和Ga的晶体是性能更为优良的掺质KTP型晶体.

关键词: KTP晶体;非线性光学晶体;掺质;溶液法晶体生长;离子电导率;二次谐波发生

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