坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体

人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (4): 323-327.

坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体

赵北君;朱世富;李正辉;傅师申;于丰亮;李奇峰

四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:1999-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
核工业科学基金

Growth of AgGaSe2 Single Crystal by the Descending Crucible with Rotation Technique

Zhao Beijun;Zhu Shifu;Li Zhenghui;Fu Shishen;Yu Fengliang;Li Qifeng

Online:1999-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法--熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法.5～6N高纯Ag、Ga、Se单质按AgGaSe2化学配比富0.5;Se配料,1100℃下合成并在熔点附近进行温度振荡,获得了高纯单相致密的AgGaSe2多晶材料.用合成的多晶为原料,采用坩埚旋转下降法生长出φ22×80mm的AgGaSe2单晶锭.晶体外观完整,在10.6μm附近红外透过率达62.4;,吸收系数低于0.01cm-1,对10.6μm CO2激光实现倍频,能量转换效率达12;.

中图分类号:

O782.5

赵北君;朱世富;李正辉;傅师申;于丰亮;李奇峰. 坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(4): 323-327.

Zhao Beijun;Zhu Shifu;Li Zhenghui;Fu Shishen;Yu Fengliang;Li Qifeng. Growth of AgGaSe2 Single Crystal by the Descending Crucible with Rotation Technique[J]. Journal of Synthetic Crystals, 1999, 28(4): 323-327.

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