Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长

人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (4): 328-334.

Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长

杨炬;桑文斌;钱永彪;史伟民;王林军;刘冬华;闵嘉华;李志峰;苏宇

上海大学嘉定校区无机材料系,201800,上海;上海朗讯科技通信设备有限公司,200233,上海

出版日期:1999-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目(19675025)

CdZnTe Crystal of High Resistivity Melting Growth under Cd1-xZnx Alloy Partial Pressures Control

Yang Ju;Sang Wenbin;Qian Yongbiao;Shi Weimin;Wang Linjun;Liu Donghua;Min Jiahua;Li Zhifen;Su Yu

Online:1999-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系.获得的Cd 0.8Zn 0.2Te晶体的电阻率接近1010Ω·cm,高于同类方法文献报道1～2个数量级.晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD)为2×105cm-2,纵向组成分布偏离度在4;左右,红外透过率大于60;,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd分压控制的Cd0.8Zn0.2Te晶体.

中图分类号:

O782.5

杨炬;桑文斌;钱永彪;史伟民;王林军;刘冬华;闵嘉华;李志峰;苏宇. Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(4): 328-334.

Yang Ju;Sang Wenbin;Qian Yongbiao;Shi Weimin;Wang Linjun;Liu Donghua;Min Jiahua;Li Zhifen;Su Yu. CdZnTe Crystal of High Resistivity Melting Growth under Cd1-xZnx Alloy Partial Pressures Control[J]. Journal of Synthetic Crystals, 1999, 28(4): 328-334.

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