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人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (4): 335-340.

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掺质TGS系列晶体生长与性能研究

王希敏;韦建环;张红;肖卫强;常新安;臧和贵;张克从   

  1. 北京工业大学环境与能源工程学院,北京,100022
  • 出版日期:1999-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    北京市自然科学基金

Study on Crystal Growth and Properties of Doped TGS Series Crystals

Wang Ximin;Wei Jianhuan;Zhang Hong;Xiao Weiqiang;Chang Xinan;Zang Hegui;Zhang Kecong   

  • Online:1999-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用水溶液缓慢降温法生长了掺质为乳酸、异丙醇胺、L-丝氨酸、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺TGS系列晶体,研究了晶体生长形态,测定了晶胞参数、红外光谱和热释电性能.实验结果表明,所有掺质均已进入晶体,晶体生长形态和热释电性能随着掺质种类不同而发生不同的变化.掺L-丝氨酸TGS晶体的品质因子大于纯TGS晶体.

关键词: 掺质TGS系列晶体;溶液晶体生长;生长形态;热释电性能

中图分类号: