掺质YAG晶体中的缺陷

人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (4): 354-358.

掺质YAG晶体中的缺陷

曾贵平;曹余惠;殷绍唐

中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031

出版日期:1999-04-15 发布日期:2021-01-20

Defeats in Doped YAG Crystal

Zeng Guiping;Cao Yuhui;Yin Shaotang

Online:1999-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报道了用化学腐蚀法对掺质浓度不同和掺质种类不同的YAG晶体样品进行的腐蚀,详细地观察了样品表面的腐蚀坑形貌,尤其是位错腐蚀坑的形貌和分布,测量了原生态和相应的退火样品上位错腐蚀坑的平均密度.在观测中发现,有些掺钕晶体样品上,位错腐蚀坑在中心区与边缘区的密集程度不同,有明显的分界.对此现象进行了探讨,认为出现在样品边缘区内的密集位错,除了来自于籽晶中以及来自于晶体从籽晶开始生长的起始处外,也由于熔体中出现在晶体周界处的自然对流与强迫对流边界层内的液流不稳,引起了生长界面边缘局部不稳而产生,环境气流起了相当的作用.

中图分类号:

O483

曾贵平;曹余惠;殷绍唐. 掺质YAG晶体中的缺陷[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(4): 354-358.

Zeng Guiping;Cao Yuhui;Yin Shaotang. Defeats in Doped YAG Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 1999, 28(4): 354-358.

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