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人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (4): 368-372.

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晶体的生长习性与配位多面体的形态

李汶军;施尔畏;殷之文   

  1. 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷超微结构国家重点实验室,上海,201800
  • 出版日期:1999-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目(59772002,59832080)

Growth Habit of Crystal and the Shape of Coordination Polyhedron

Li Wenjun;Shi Erwei;Yin Zhiwen   

  • Online:1999-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文由配位多面体生长习性法则分析了ZnS,锐钛矿和γ-AlO(OH)晶体的生长习性.发现ZnS晶体的各晶面的生长速度为:v(111)>v(001)=v(010)=v(100)>v();锐钛矿各晶面的生长速度为:v(010)=v(001)>v(110)>v(111);γ-AlO(OH)晶体各晶面的生长速度为:v(100)>v(001)>v(101)=v(110)>v(010).此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好.指出了当晶体结构中配位多面体只有一种方位时,此晶体的生长习性与配位多面体的形状相类似.即配位多面体顶点指向的方向生长速度快;面指向的方向生长速度慢;棱指向的方向生长速度介于两者之间.此外,本文还指出了PBC理论在分析极性晶体的生长习性时存在的缺点.

关键词: 生长习性;ZnS晶体;锐钛矿晶体;γ-AlO(OH)晶体;配位多面体

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