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人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (4): 377-381.

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BaTiO3,CeO2和NaCl晶体的生长习性

李汶军;施尔畏;郑燕青;吴南春;殷之文   

  1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800
  • 出版日期:1999-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目(59772002,59832080)

Growth Habit of BaTiO3,CeO2 and NaCl Crystal

Li Wenjun;Shi Erwei;Zheng Yanqin;Wu Nanchun;Yin Zhiwen   

  • Online:1999-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 在各种晶体的结构类型中BaTiO3、CeO2和NaCl晶体的结构相对比较简单,但是它们的生长习性一直得不到合理的解释.如PBC理论很难合理解释BaTiO3、NaCl和CeO2晶体的生长习性及习性变化.本文采用配位多面体生长习性法则研究了BaTiO3晶体,CeO2晶体和NaCl晶体的理论生长习性.发现BaTiO3晶体的生长习性为立方八面体;CeO2晶体的生长习性为立方体;NaCl晶体的生长习性为八面体,解释了溶液的过饱和度对NaCl晶体的生长习性的影响.

关键词: BaTiO3晶体;CeO2晶体;NaCl晶体;水热法;生长习性

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