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人工晶体学报 ›› 2000, Vol. 29 ›› Issue (4): 350-354.

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用提拉法生长的GdCa4O(BO3)3晶体的结构缺陷研究

张树君;张吉果;程振祥;韩建儒;陈焕矗   

  1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 出版日期:2000-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    高等学校博士学科点专项科研项目

Investigation on Defects in GdCa4O(BO3)3 Crystal Grown by Czochralski Method

ZHANG Shu-jun;ZHANG Ji-guo;CHENG Zhen-xiang;HAN Jian-ru;CHEN Huan-chu   

  • Online:2000-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用相衬显微镜结合化学腐蚀法,进行了沿 010 方向提拉生长的GdCa4O(BO3)3(GdCOB)晶体中的缺陷观察.发现位错是 010 方向生长的晶体中的重要缺陷.在不同方向的晶体切片上观察了螺位错和刃位错蚀坑,位错塞积,平底蚀坑及尖底蚀坑.位错密度随晶体长度的变化而变化.在晶体的尾部观测到位错密度为103/cm2,而在晶体的初始部位位错密度很低,只有40/cm2.在晶体的X,Z及 401 方向的切片的正反两面观察到的位错蚀坑现象完全不同,可以认为GdCOB晶体为单畴极性晶体,自发极化方向沿z轴方向.

关键词: GdCOB晶体;化学腐蚀;位错;自发极化

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