摘要: 利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错.首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息,如发现铁电畴的明区要高于暗区,且两者的粗糙度明显不同.这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径.
中图分类号:
牟其善;刘希玲;李可;官文栎;程传福;马长勤;王绪宁;路庆明. KTiOAsO4晶体的铁电畴与位错的多种实验方法研究[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(4): 360-363.
MOU Qi-shan;LIU Xi-ling;LI Ke;GUAN Wen-li;CHENG Chuan-fu;MA Chang-qin;WANG Xu-ning;LU Qing-ming. Research on the Ferroelectric Domain and Dislocations in KTiOAsO4 Crystal by Multiple Experiment Methods[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2000, 29(4): 360-363.