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人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (4): 405-408.

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新型Q开关晶体Cr4+∶YAG的生长和退火研究

黄朝红;肖敬忠;秦青海;王爱华;殷绍唐   

  1. 中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料研究室,合肥,230031
  • 出版日期:2002-08-15 发布日期:2021-01-20

Study on Growth and Annealing of a New Q-switching Crystal Cr4+∶YAG

  • Online:2002-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用二价Ca离子作为电荷补偿离子由提拉法生长出了具有高光学质量的调Q开关晶体Cr4+∶YAG并对该晶体进行了退火研究.吸收光谱测量表明原生态晶体中已有少量Cr4+离子存在.晶体经空气中退火后Cr4+离子浓度和1.06μm处的吸收系数均显著提高.晶体生长和退火实验显示出晶体中Cr4+离子的浓度不仅取决于掺杂的Cr3+离子的浓度,而且同晶体中的Ca/Cr浓度比密切相关.

关键词: Cr4+∶YAG;Q开关晶体;晶体生长;退火;吸收光谱

中图分类号: