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人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (6): 551-554.
孔云川;周大勇;澜清;刘金龙;苗振华;封松林;牛智川
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RSS出版日期:2002-12-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2002-12-15
Published:2021-01-20
摘要： 用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料,并制成发光二极管,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究.观察到两个明显的电致发光峰,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光.实验表明,由于能态填充效应的影响,适当增大量子点发光器件有源区长度,更有利于获得基态的光发射.这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法.
中图分类号:
孔云川;周大勇;澜清;刘金龙;苗振华;封松林;牛智川. 1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究[J]. 人工晶体学报, 2002, 31(6): 551-554.
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