YVO4双折射晶体生长及完整性分析

人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (1): 41-43.

YVO4双折射晶体生长及完整性分析

王英伟;程灏波;刘景和

长春理工大学,长春,130022;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130022

出版日期:2003-02-15 发布日期:2021-01-20

Growth and Analysis on Completeness of YVO4 Birefringent Crystal

Online:2003-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在较低氧分压的保护气氛中用提拉法(CZ法)生长YVO4晶体,采用自行设计的气压计,精密调节炉内的氧、氮比例,有效防止了晶体生长中的过度缺氧,生长出33mm×31mm(等径)YVO4晶体.设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件:转速5～10r/min,拉速:2～6mm/h,生长周期:24h,液面上8mm温度梯度2.875℃/mm.用偏光显微镜对YVO4晶体的裂纹、散射颗粒、包裹物、偏心生长等缺陷进行观察,认为它们的成因主要是生长速率过快,生长环境中湿度大及晶体中存在分解和挥发性物质等.

中图分类号:

O782.5

王英伟;程灏波;刘景和. YVO4双折射晶体生长及完整性分析[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(1): 41-43.

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YVO4双折射晶体生长及完整性分析

Growth and Analysis on Completeness of YVO4 Birefringent Crystal

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