电离对晶体生长的作用

人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (2): 156-161.

电离对晶体生长的作用

钟志勇

烁光特晶科技有限公司,人工晶体研究院,北京,100018

出版日期:2003-04-15 发布日期:2021-01-20

Effect of Ionization on Crystal Growing

Online:2003-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为什么有的晶体材料容易生长,而有的则很难.本文通过分析溶液或熔体的电离状态对晶体生长的影响,认为晶体生长的难易程度主要决定于该晶体材料在液相状态下电离度的大小,电离是所有化学键晶体生长的必要条件.通过比较各类晶体生长难易程度与价键结构及其化学元素组成的关系,认为:以偏离子性键、金属键结合的材料,在熔体状态下的电离度大,容易形成晶相;以偏共价键结合的化合物电离度小,难于生长单晶体,但容易制作非晶或纳米材料.

中图分类号:

O781

钟志勇. 电离对晶体生长的作用[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(2): 156-161.

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