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人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (4): 324-328.

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三温区坩埚下降法生长硫镓银晶体

张伟;朱世富;赵北君;刘敏文;李一春   

  1. 四川大学材料科学系,成都,610064
  • 出版日期:2003-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    四川省应用基础研究计划(99-479)

Growth of AgGaS2 Single Crystals by Descending Crucible Method with a Three-temperature-zone Furnace

  • Online:2003-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究,设计组装了三温区单晶炉,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达10mm×25mm.实验测定了AgGaS2晶体的差热分析曲线和红外透射谱,以及单晶{112}解理面的X射线衍射谱,结果表明生长晶体的质量较高.

关键词: 硫镓银;单晶体;三温区;坩埚下降法

中图分类号: