大直径6H-SiC单晶的生长

人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (5): 540-.

• • 上一篇

大直径6H-SiC单晶的生长

徐现刚;胡小波;王继扬;蒋民华

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2003-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划);国家自然科学基金(60025409)

Growth of Mono-crystalline 6H-SiC with Large Diameter

Online:2003-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

中图分类号:

徐现刚;胡小波;王继扬;蒋民华. 大直径6H-SiC单晶的生长[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(5): 540-.

[1]	刘帅, 宋立辉, 杨德仁, 皮孝东. 4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2027-2042.
[2]	李明明, 熊飞兵, 杨伟斌, 胡正开, 白鑫, 李婧, 林雅晴, 黄俊雄. 新型红色荧光粉K₅Gd(MoO₄)₄:xSm³⁺,yEu³⁺的发光性能分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2150-2159.
[3]	安康, 许光宇, 吴海平, 张亚琛, 张永康, 李利军, 李鸿, 张旭芳, 刘峰斌, 李成明. 金刚石化学机械抛光研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1675-1687.
[4]	李阳, 曹昆, 介万奇. 热处理GaSb衬底对近距离升华法制备CdZnTe外延膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1705-1711.
[5]	陈峰武, 吕文利, 龚欣, 薛勇, 巩小亮. 分子束外延设备国内外进展及展望[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1494-1503.
[6]	刘帅, 熊慧凡, 杨霞, 杨德仁, 皮孝东, 宋立辉. 电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1536-1541.
[7]	吴蕊, 胡洋, 唐荣芬, 阳倩, 王序, 吴怡逸, 聂登攀, 王环江. MOCVD生长ZnO薄膜的气相寄生反应路径研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1608-1619.
[8]	钟琼丽, 王绪, 马奎, 杨发顺. Al掺杂对β-Ga₂O₃薄膜光学性质的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1352-1360.
[9]	贺小敏, 唐佩正, 刘若琪, 宋欣洋, 胡继超, 苏汉. AlN/β-Ga₂O₃HEMT频率特性仿真研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1361-1368.
[10]	李洋, 崔楠, 傅年庆, 陈有辰, 潘书生, 林生晃. 柔性透明二维光电器件在智能化信息领域中的应用[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1087-1105.
[11]	伍仕停, 余春燕, 方佳庆, 徐阳, 翟光美. ZnSe基蓝光量子点的中间壳层结构调控及其发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1160-1169.
[12]	谢贵久, 张文斌, 王岩, 宋振, 张兵. 碳化硅晶片减薄工艺对表面损伤的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(6): 967-972.
[13]	贺小敏, 唐佩正, 张宏伟, 张昭, 胡继超, 李群, 蒲红斌. AlN/β-Ga₂O₃HEMT直流特性仿真[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 766-772.
[14]	初学峰, 黄林茂, 张祺, 谢意含, 胡小军. 铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 848-854.
[15]	秦峰, 吴金杰, 邓宁勤, 焦志伟, 朱伟峰, 汤显强, 赵瑞. 基于溶液法制备卤化铅钙钛矿的直接型辐射探测器研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(4): 554-571.

大直径6H-SiC单晶的生长

Growth of Mono-crystalline 6H-SiC with Large Diameter

PDF (PC)

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 15

编辑推荐

Metrics

本文评价