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人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (6): 574-578.

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AlInGaN合金的发光机制研究

董逊;黄劲松;黎大兵;刘祥林;徐仲英;王占国   

  1. 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
  • 出版日期:2003-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000683-06);国家自然科学基金(19974045)

Luminescence Mechanism Studies of AlInGaN Alloy

  • Online:2003-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AlInGaN合金的发光机制.实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序.形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点).伸展指数衰减函数中弥散指数β不仅不随温度变化,在250K也不随辐射能量变化,表明载流子的弥散过程由局域态之间的跳跃所主导.进一步实验表明局域态在250K时仍然表现出零维特性.

关键词: AlInGaN;时间分辨;量子点;局域态

中图分类号: