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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (1): 123-125.

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高温闪烁晶体Ce:YAP的化学腐蚀形貌

李红军;赵广军;曾雄辉;钱振英;郭聚平;周圣明;徐军   

  1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
  • 出版日期:2004-02-15 发布日期:2021-01-20

Etching Figures in High-temperature Scintillating Crystal Ce:YAP

  • Online:2004-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文报导了Ce:YAP晶体位错蚀坑的腐蚀条件;同时报导了几个主要晶面的位错蚀坑形貌,(100)面呈扁豆形,(010)面呈菱形,(101)面呈椭圆形,这些形状与各自晶面的对称性一致.通过蚀坑形貌在晶体横截面内观察到了小面生长核心区和熔质尾迹等缺陷,并分析了其成因.

关键词: Ce:YAP晶体;闪烁晶体;位错;腐蚀形貌

中图分类号: