基于电沉积过渡层沉积CVD金刚石薄膜的研究

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (1): 13-17.

基于电沉积过渡层沉积CVD金刚石薄膜的研究

卢文壮;左敦稳;王珉;黎向锋;徐锋

南京航空航天大学机电学院,南京,210016

出版日期:2004-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(59975045,50075039)

Deposition of CVD Diamond Thin film on Cemented Carbide Substrate by Using Electro-deposited Interlayer

Online:2004-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在硬质合金的Cu、Ni、Cr电沉积过渡层上采用热丝CVD法沉积出金刚石薄膜.利用SEM和Raman对金刚石薄膜进行了研究,对影响膜基结合强度的因素进行了分析,利用压痕法对金刚石薄膜与基体的结合强度进行了检验.结果表明,在Cr过渡层上沉积的金刚石薄膜的质量和膜基结合性能较好,优于在Cu、Ni过渡层上沉积的金刚石薄膜的质量和膜基结合性能.

中图分类号:

TB43

卢文壮;左敦稳;王珉;黎向锋;徐锋. 基于电沉积过渡层沉积CVD金刚石薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(1): 13-17.

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基于电沉积过渡层沉积CVD金刚石薄膜的研究

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