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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (1): 35-39.

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直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究

吕文中;贾小龙;何笑明   

  1. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074
  • 出版日期:2004-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    湖北省杰出青年科学基金(2002AO002)

Influences of Technical Conditions on the Structure of ZnO Films Deposited by DC Magnetic Control Sputtering

  • Online:2004-02-15 Published:2021-01-20

摘要: ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料.当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射.本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响.结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性.本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜.

关键词: ZnO薄膜;基片温度;c轴取向;退火;氩氧比;结晶质量

中图分类号: