CsI(Tl)闪烁晶体研究进展

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (1): 77-80.

CsI(Tl)闪烁晶体研究进展

郭亚军;杨春晖

哈尔滨工程大学化学工程系,哈尔滨,150001

出版日期:2004-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
黑龙江省杰出青年科学基金(Q00C024)

Research Progress of CsI(Tl) Scintillation Crystal

Online:2004-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： CsI(Tl)闪烁晶体光产额高于BGO晶体4倍多,辐照长度较NaI(Tl)晶体短,机械性能好,是一种优良实用的闪烁晶体材料.CsI(Tl)晶体的发光中心包括激活剂发光中心[Tl(Ⅰ)和Tl(Ⅱ)]和辐照诱导缺陷发光中心.CsI(Tl)晶体的发射谱峰值位于550nm,能与硅光二极管配合组成性能优良的探测器,广泛应用于核技术和高能物理等领域.目前主要采用坩埚下降法和连续加料法生长.本文综述了CsI(Tl)闪烁晶体的生长、缺陷、闪烁性能及其应用领域的研究与发展趋势.

中图分类号:

O799

郭亚军;杨春晖. CsI(Tl)闪烁晶体研究进展[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(1): 77-80.

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