溶液、熔体中负离子配位多面体生长基元的分布与缔合

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (2): 195-199.

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溶液、熔体中负离子配位多面体生长基元的分布与缔合

仲维卓;张学华;罗豪甦;华素坤

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50272075,50432030和 50331040);国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA325130);中国科学院知识创新工程项目(SCX200411);中国科学院知识创新工程项目(KJCXZ-SW-105-03)

Distribution and Process of Anionic Coordination-polyhedra Combining in High Temperature Solution or Melt

ZHONG Wei-zhuo;ZHANG Xue-hua;LUO Hao-su;HUA Su-kun

Online:2005-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 根据对晶体生长溶液、熔体拉曼光谱的测试结果,剖析了溶液和熔体中负离子配位多面体的分布及其缔合过程,总结出了不同过饱和溶液和不同过冷度熔体中负离子配位多面体生长基元的缔合形式和维度的规律.在靠近晶体的边界层处已出现与晶体结构相同或相似的大维度生长基元.实验表明,生长基元的分布和缔合与溶液过饱和度和熔体过冷度密切相关,从而提出用拉曼光谱进行实时监控,寻找最佳生长物化条件,优化晶体生长边界层的厚度和大维度生长基元的数量,为选择最佳工艺条件提出理论依据.

中图分类号:

仲维卓;张学华;罗豪甦;华素坤. 溶液、熔体中负离子配位多面体生长基元的分布与缔合[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 195-199.

ZHONG Wei-zhuo;ZHANG Xue-hua;LUO Hao-su;HUA Su-kun. Distribution and Process of Anionic Coordination-polyhedra Combining in High Temperature Solution or Melt[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(2): 195-199.

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溶液、熔体中负离子配位多面体生长基元的分布与缔合

Distribution and Process of Anionic Coordination-polyhedra Combining in High Temperature Solution or Melt

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