分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (2): 384-386.

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分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性

孙彦;方志丹;龚政;苗振华;牛智川

大同大学物理系,大同,037009;中国科学院半导体研究所,北京,100083

出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60176006,90201026);中国科学院科技项目

Light Emission Characteristics of Self-organized Quantum Dot of InAs/GaAs Grown at the Edge of Molecular Beam

SUN Yan;FANG Zhi-dan;GONG Zheng;MIAO Zhen-hua;NIU Zhi-chuan

Online:2005-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.

中图分类号:

O471.1

孙彦;方志丹;龚政;苗振华;牛智川. 分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 384-386.

SUN Yan;FANG Zhi-dan;GONG Zheng;MIAO Zhen-hua;NIU Zhi-chuan. Light Emission Characteristics of Self-organized Quantum Dot of InAs/GaAs Grown at the Edge of Molecular Beam[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(2): 384-386.

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分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性

Light Emission Characteristics of Self-organized Quantum Dot of InAs/GaAs Grown at the Edge of Molecular Beam

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